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生长LED有源层的外延方法及特点
生长LED有源层的外延方法及特点 - 生长LED有源层的外延方法及特点2008年4月15日生长LED有源层的外延方法有气相外延VPE）、液相外延（LPE）、金属有机化学气相淀积（MOCVD）、分子束外延（MBE）。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延CaAsp、GaP，液相外延GaP，GaAlAs，金属有机物化学气相淀积InGaA
收录日期：01月18日 网址分类：LED基础知识
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